太阳能板多少钱价格合理

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影响因素

1 ．频率

射频 PECVD 系统大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工业频段射频电源。较高频率（ gt;4MHz ）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。

2 ．射频功率

增加 RF 功率通常会改善 SiN 膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过 1W/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。

3 ．衬底温度

PECVD 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能保证氮化硅薄膜在HF 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。

4 ．气体流量

影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 SiH4 。为了防止富硅膜，选择NH3/SiH4=2~20 （体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。

5 ．反应气体浓度

SiH4 的百分比浓度及 SiH4/NH3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及***性质均有重大影响。

理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 SiN 。因此，必须控制气体中的 SiH4 浓度，不宜过高，并采用较高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。

6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。

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二、 翘曲：

1、 硅片太薄：控制原始硅片厚度；

2、 印刷铝浆太厚：控制铝浆增重量；

3、 烧结温度过高：调整烧结炉4、5、6、7区温度；

4、 烧结炉冷却区冷却效果不好：查看风扇状况、进出水温度压力等

三、 铝包：

1、 烧结温度太高：调整烧结炉4、5、6、7区温度；

2、 印刷铝浆太薄：增大铝浆的印刷量；

3、 使用前浆料搅拌不充分：搅拌时间必须达到规定时间；

4、 铝浆印刷后烘干时间不够：增加烘干时间或提高烘干温度；

5、 烧结排风太小：增大烧结炉排风；

6、 烧结炉冷却区冷却区冷却效果不好：查看风扇状况、进出水温度压力等；

太阳能板多少钱价格合理由苏州振鑫焱光伏科技有限公司提供。苏州振鑫焱光伏科技有限公司在太阳能及再生能源这一领域倾注了诸多的热忱和热情，振鑫焱光伏科技一直以客户为中心、为客户创造价值的理念、以品质、服务来赢得市场，衷心希望能与社会各界合作，共创成功，共创辉煌。相关业务欢迎垂询，联系人：孟先生。同时本公司还是从事太阳能板回收，太阳能电池板板回收，光伏太阳能板回收的厂家，欢迎来电咨询。