聊城回收库存逆变器优选企业-振鑫焱光伏科技

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：高价回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，***偿还，返工，光伏模块回收等。

影响因素

1 ．频率

射频 PECVD 系统大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工业频段射频电源。较高频率（ gt;4MHz ）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。

2 ．射频功率

增加 RF 功率通常会改善 SiN 膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过 1W/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。

3 ．衬底温度

PECVD 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能保证氮化硅薄膜在HF 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。

4 ．气体流量

影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 SiH4 。为了防止富硅膜，选择NH3/SiH4=2~20 （体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。

5 ．反应气体浓度

SiH4 的百分比浓度及 SiH4/NH3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及***性质均有重大影响。

理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 SiN 。因此，必须控制气体中的 SiH4 浓度，不宜过高，并采用较高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。

6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。

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5.1.5 尺寸

电池尺寸的检验采用分辨力优于0.02mm 的卡尺测量，电池的厚度采用分辨力优于 0.01mm 的千分尺测量。

电池的角度偏差采用分辨力优于0. 1° 的量角器测量。

电池的厚度偏差和总厚度偏差检验参照 GB/T6618 进行

5.1.6 外观

在照度不小于 800Lux的白色光源下对电池的表面颜色进行目测。

电池的崩边、钝性缺口等外观缺损的尺寸检测，采用分辨力优于 0.02mm 的量具测量。 5.2 力学性能

5.2.1 弯曲变形

使用表面平整度优于0.01mm 平台，电池背面朝下水平放置，用分辨力优于 0.01mm 的量具进行检验。

5.2.2 电极附着强度或电极 / 焊点抗拉强度

电极的附着强度和电极 / 焊点的抗拉强度试验采用同一方法，。将一根长 150mm ，宽 1.7mm 的焊锡条引线焊接在电池电极上，焊接长度为 10mm ，焊接质量以不虚焊为准，在与焊接面成 45 °对引线施加拉力，逐渐加大拉力，在拉力不低于 2.49N 的情况下持续 10s 以上。

5.3 电性能

5.3.1 电性能参数的温度系数测量电池的温度系数测量按SJ/T 10459 进行。

5.3.2 电性能参数测量

电池的电性能参数测量按GB/T6495.1 和 GB/T6495.3进行。

5.3 热循环试验

将测试电池样品间隔的放置在环境试验箱（相对湿度小于 60% ）中，按图 4 的温度分布，使电池的温度在 -40 ℃± 2 ℃ 和 85 ℃± 2 ℃ 之间循环。在两个极端温度的保持时间不少于 10min ，循环次数 5 次。再按本标准的规定对电池的外观、力学性能和电池转换效率进行检测。

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5 、 检测方法

5.1 设计和结构

5.1.1 基体材料

电池的基体材料应按相关详细规范的要求及检测方法进行检测。

5.1.2 电极

5.1.2.1 电池电极的完整性、电极图形位移的检验应使用分辨力优于 0.01mm 的标准尺测量。

5.1.2.2 在照度不小于 800Lux 的白色光源下，目测电极是否变色。

5.1.2.3 电池电极的导电性按 GB/T17473.3 进行。

5.1.2.4 电池电极的可焊性按 GB/T17473.7 进行。

5.1.3 背面铝膜

5.1.3.1 背面铝膜与基体材料的匹配性检测

通过检测电池的弯曲变形，验证背面铝膜材料的热膨胀系数与基体材料的匹配性。适用表面平整度优于 0.01mm 平台，电池背面朝下水平放置，用分辨力优于 0.01mm 的量具进行检验。

5.1.3.2 背面铝膜与基体材料的附着强度测验

如图 2 所示放置样品，在满足 EVA 充分交联的条件下压层，取出后立即撕下四氟布，待冷却到室温后，用刀割断 EVA 和铝膜，撕去 EVA 条，观察有无铝膜脱落。

5.1.3.3 背面铝膜外观检验

背面铝膜的凸起高度应使用分辨力优于 0.01mm 的带标尺的光学显微镜测量，图形缺陷采用目测。图形位移采用分辨力优于 0.02mm 的卡尺测量。

5.1.3.4 背面铝膜的导电性检测背面铝膜的导电性按GB/T17473.3 进行。

5.1.4 减反射膜附着强度检测

减反射膜附着强度的测试采用胶带试验测定粘合性的方法，胶带附着强度不小于 44N/mm 。具体按 ASTM3359 进行，减反射膜不脱落。

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