回收实验板电池板常用指南

国际废旧电池处理方式

国际性废旧电池处理过程国际性上行驶的废旧电池处理过程大概有几种：干固掩埋、储放于废煤矿、综合利用。

1.干固掩埋、储放于废煤矿。

废旧电池通常都运到***的***、危害垃圾处理场，但这种做法不但花销很大并且还导致奢侈浪费，由于在其中还有许多能作原材料的有效化学物质。

2.综合利用。

(1)调质处理：法国有俩家***生产加工运用旧充电电池的加工厂，巴特列克企业采用的方式 是将旧充电电池碾碎后送到炉内加温，这时候可获取挥传出的***，溫度更高时锌也挥发，它一样是***。铁和锰熔合后变成炼铁需要的锰有色金属。该加工厂1年可生产加工2000吨废旧电池，可得到780吨锰有色金属，400吨锌合金材料及3吨***。别家加工厂则是立即从充电电池中获取含铁，并将氧化锰、氧化锌、氧化铜和氧化镍等金属材料化合物做为金属材料废弃物立即售卖。但是，调质处理的方式 花销较高，法国还要求向每名充电电池消费者扣除小量废旧电池生产加工专用型费。

(2)湿解决：马格德堡近郊区已经修建1个湿解决设备，回收实验板电池板，这里除铅酸蓄电池外，各种充电电池均融解于盐酸，随后依靠正离子环氧树脂从水溶液中获取各种各样金属材料，用这类方法得到的原材料比热处理工艺纯粹，因而在销售市场上市场价更高，并且充电电池中包括的各种各样化学物质有95%都能获取出去。湿解决可省掉快递分拣阶段(由于快递分拣是手工制作，会提升成本费)。马格德堡这套设备年生产能力达到7500吨，其成本费尽管比垃圾填埋方式 略高，但珍贵原材料不至于丢掉，也不容易环境污染。(3)真空热处理法：德国阿尔特企业研发的真空热处理法也要划算，但是这先必须在废旧电池中快递分拣出镍镉电池，废旧电池在真空泵中加温，在其中***快速挥发，就能将其收购，随后将剩下原材料碾碎，用磁体获取金属材料铁，再从剩下粉末状中获取镍和锰。

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：高价回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，***偿还，返工，光伏模块回收等。

电池片丝网印刷技术

1 引言

随着***能源的日趋紧张，太阳能以无污染、市场空间大等独有的优势受到世界各国的广泛重视，国际上众多大公司投入太阳能电池研发和生产行业。从太阳能获得电力，需通过太阳能电池进行光电变换来实现，硅太阳能电池是一种有效地吸收太阳能辐射并使之转化为电能的半导体电子器件，广泛应用于各种照明及发电系统中。

2 硅太阳能电池的生产工序

太阳能电池原理主要是以半导体材料硅为基体，利用扩散工艺在硅晶体中掺入杂质：当掺入硼、磷等杂质时，硅晶体中就会存在着一个空穴，形成 n 型半导体；同样，掺入磷原子以后，硅晶体中就会有一个电子，形成 p 型半导体， p 型半导体与 n 型半导体结合在一起形成 pn 结，当太阳光照射硅晶体后， pn 结中 n 型半导体的空穴往 p 型区移动，而 p 型区中的电子往 n 型区移动，从而形成从 n 型区到 p 型区的电流，在 pn 结中形成电势差，这就形成了电源。

硅太阳能电池生产的主要工序，从中可以看出丝网印刷是生产太阳能电池的重要工序，其印刷质量（厚度，宽度，膜厚一致性）影响电池片的技术指标。

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影响因素

1 ．频率

射频 PECVD 系统大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工业频段射频电源。较高频率（ gt;4MHz ）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。

2 ．射频功率

增加 RF 功率通常会改善 SiN 膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过 1W/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。

3 ．衬底温度

PECVD 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能保证氮化硅薄膜在HF 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。

4 ．气体流量

影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 SiH4 。为了防止富硅膜，选择NH3/SiH4=2~20 （体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。

5 ．反应气体浓度

SiH4 的百分比浓度及 SiH4/NH3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及***性质均有重大影响。

理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 SiN 。因此，必须控制气体中的 SiH4 浓度，不宜过高，并采用较高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。

6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。

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