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抵御平稳——淬火（Class1k）

硅片在CZ炉内高浓的氧气氛里生长发育。由于绝大多数的氧是可塑性的，殊不知仍有数的氧会形成小基团。这种基团会饰演n-施主的人物角色，就会使硅片的电阻检测有误。要避免这一问题的产生，硅片务必加温到650℃上下。这一高的溫度会使氧产生大的基团而不容易危害电阻率。随后对硅片开展激冷，以阻拦小的氧基团的产生。为了使太阳能发电系统能为负载提供足够的电源，就要根据用电器的功率，合理选择各部件。这一全过程能够 合理的清除氧做为n-施主的特点，并使真实的电阻趋于稳定。

背封（Class10k）

针对重掺的硅片而言，会历经一个高溫环节，在硅片反面淀积一层塑料薄膜，能阻拦掺杂剂的向扩散。这一层就好似密封剂一样避免掺杂剂的肇事逃逸。一般有三种塑料薄膜被用于做为背封原材料：二氧化硅（SiO2）、氮化硅（Si3N4）、光伏电池。假如金属氧化物或氮化合物用于背封，电池片，能够 严苛地认为是一密封剂，而假如选用光伏电池，除开关键做为密封剂外，还具有了外界吸杂***。以光电效应工作的薄膜式太阳能电池为主流，而以光化学效应工作的湿式太阳能电池则还处于萌芽阶段。图1.3举例子了加热清理、抵御平稳和背封的流程。

硅基片表面的氨基化处理

取出 氨化烧杯（ 专用 ）， 先用无水乙醇清洗 2 次， 然后倒入 20ml 无水乙醇，回收招标电池片，将步骤（ 2）反应后的获得的羟基化硅片转移到氨化烧杯中，用无水乙醇清洗 3 次。清洗时同步骤（２） ，使硅片处于乙醇环境中；厂家常年***收购电池片，采购硅片，光伏组件，太阳能电池板，多晶硅，单晶硅，硅料硅棒硅锭回收电池片切片:将单晶硅棒切成具有几何尺寸的薄硅片。清洗完成后倒掉乙醇，迅速加入 3-氨基丙基三乙氧基***（ APTES）和无水乙醇的混合液（体积比为 1： 15），或者先加 15ml 无水乙醇，回收实验电池片，然后用移液管加 1mlAPTES，摇床上振摇反应 2 h。该反应结束后可以使硅片表面氨基化。

目前晶体硅太阳能电池（包括单晶和多晶）的转化效率都在百分之十五以上，而非晶硅太阳能的转化效率一般不超过百分之十，且存在衰减现象，非晶硅薄膜电池的好处就是消耗的硅料少，成本比晶硅电池低。目前市场上、畅销的认识晶硅太阳能电池。

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多晶硅的品质和规格

多晶硅按外形可分为：块状多晶硅和棒状多晶硅；

等级分为：一、二、三级免洗料。

多晶硅的检测

主要检测参数为 电阻率、碳浓度、 N型少数载流子寿命 ；外形主要是块状的大小程度；结构方面要求无氧化夹层；表面需要经过酸腐蚀，结构需致密、平整，多晶硅的外观应无***、变色，无可见的污染物。对于特殊要求的，还需要进行体内金属杂质含量的检测。

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