无边框硅料回收-振鑫焱******-清远硅料

电池片的检验

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1、 色差片是怎样产生的？

这与化学气相沉淀时间有关，时间长会发白，时间短会发黄

2、 光面片是怎样产生的？

首先是因为片子本身就是光面片，其次就是在腐蚀中加入 NaOH 量过多

3、 光外形片是怎样产生的？

单测单包（前道丝印也要单独挑出，选择合适的网板印制）

4、 绒面***是怎么来的？

一方面是硅片的表面存在一定的脏污在制绒时没有清洗干净，另一方面是我们的工艺卫生到位，手指印、吸盘印、***没有处理干净

5、 对未烧透的片子怎么处理？

硅片与硅片之间存在一定的厚度，如果在做薄片中间夹着厚片就会烧不透，烧结的温度低了

电池片的制作工艺

振鑫焱光伏科技有限责任公司长期购置：天价回收硅片，电池片，初中级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳电池，太阳能组件，太阳能光伏板，顾客撤离，退级，库存量，El，欠佳检测，2手，旧，工程项目，无边框硅料回收，拆装，道路路灯，回收el测试不良硅料，拆卸发电厂，拆装，人造板，层压板，***限结晶硅，多晶硅，单晶硅，试验板，负债还款，返修，太阳能发电控制模块收购等。

外扩散种类

1.稳定源外扩散：在稳态外扩散的标准下，清远硅料，企业時间内根据垂直平分外扩散方位的企业总面积的外扩散品质与该横截面处的浓度梯度正比。

2.限制源外扩散：在再遍布全过程中，外扩散是在限制源的标准下进有的，全部外扩散全过程的残渣源，限制于外扩散前积淀在硅片表层的***限薄层内的残渣总产量，沒有外地人残渣填补即在硅片表层处的残渣流相对密度。

生产车间应用的是二步外扩散：预淀积外扩散。预扩散是稳定源外扩散，关键是促使硅片表层汽体浓度值相同，维持整批方块电阻是匀称性。主外扩散是限制源外扩散，而且在主外扩散后进入大氮汽体，做为推动汽体，增加PN结深度。

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刻蚀工艺

刻蚀目的

将硅片边缘的带有的磷去除干净，避免 PN 结短路造成并联电阻降低。

刻蚀原理

采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应， 采用高频辉光放电反应，使反应气体***成活性粒子，如原子或各种游离基，这些活性粒子扩散到硅片边缘，在那里与硅进行反应，形成挥发性生成物四***而被去除。

化学公式： CF 4 SIO 2 =SIF 4 CO 2

工艺流程

预抽，主抽，送气，辉光，抽空，清洗，预抽，主抽 ，充气。

影响因素

1. 射频功率

射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区（耗尽层）造成的损伤会使得结区复合增加。

射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均匀，从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致并联电阻下降。

2. 时间

刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区，从而导致损伤区域高复合。

刻蚀时间过短：刻蚀不充分，没有把边缘鳞去干净， PN 结依然有可能短路造成并联电阻降低。

4. 压力

压力越大，气体含量越少，参与反应的气体也越多，刻蚀也越充份。

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